[LP_2]

Bonjour

Quelqu'un aurait-il lu/écrit dans cette mémoire ?
Des astuces, des précautions, etc

Par exemple :
la zone HE est située dans les octets L des mots en mémoire programme, mais faut-il appliquer la procédure aux octets L et H de chaque adresse ?

Je suis en train d'y bidouiller, mais un retour d'expérience peut faire gagner du temps (et des cheveux . . .) !

[satinas]

La réponse à ta question est oui, PMADRH/L adresse les mots de la flash, et pour la partie HFE le mot est aussi de 14 bits mais seul l'octet bas est pris en compte. La partie HFE de la flash contient donc 128 octets de data utilisable et se lit/écrit de la même façon que le reste de la flash, sauf que PMDATH n'intervient pas.

Les mots de 14 bits (ou octets HFE) de la flash peuvent être lus un par un en spécifiant leur adresse dans PMADRH/L
Pour l'écriture on doit d'abord effacer un secteur de 32 mots en PMADRH/L, ensuite on remplit le latch de 32 mots , et on écrit.
On peut aussi écrire un ou plusieurs mots (ou octets HFE) dans des cases mémoire déjà effacées d'un secteur de la flash, je n'ai pas vu d'exemple dans le datasheet, c'est pourtant ce qui est intéressant pour la mémoire HFE. On ne charge dans le latch que les octets à modifier, le reste du latch est à 0xFF.

A côté de ça les 2 registres d'adressage indirect 16 bits FSR0 et FSR1 permettent d'accéder en R/W à la ram, et en lecture uniquement à la flash. De cette manière on ne lit que l'octet bas des mots de programme, et les octets de données HFE.
Adressage FSR 16F1719 : en 0x0000 32 banks ram, en 0x2000 ram linéaire 24*80 octets GPR, en 0x8000 octets bas flash et octets HFE. Il n'y a ainsi pas de limite à la taille des tableaux de données en ram/flash et des tableaux de variables en ram.