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Modérateur : Jérémy

Calcul de résistance sur sortie PIC
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#1 Message par Jérémy » mer. 9 mai 2018 22:40

Bonjour à tous,

Je souhaite faire un petit montage dans ce genre ( porte ET) avec un MOSFET canal-P et un relais piloter un transistor NPN.
N'étant pas un crack de l'éléectronique, j'ai un gros doute sur mon calcul de la Résistance me permettant de saturer mon transistor afin de commuter le relais .
Je trouve 21K ???? ça me parait énorme .

Voici le schéma avec les infos :

Alimentation du PIC et V+ par pile CR-123 donc 3V . Toutes les masses sont communes.
DS du transistor: http://www.farnell.com/datasheets/2237883.pdf
J'ai pris 250 de gain selon la courbe(page5). Vbe sat 0.9V
Ds du relais : http://www.farnell.com/datasheets/2340399.pdf
Résistance du relais 91 ohms, courant IC de 33 mA (page3)

Donc on a Ib = Ic/gain = 0.033/250 = 0.1mA de courant pour Ib

Rb = ( Vcc - Vbe) / Ib = (3-0.9)/0.0001 = 21 KOhms

Me suis gourré ? je prendrais 15K pour etre sur de bien le saturé ?

Merci a ux courageux qui verifie mon calcul et mon schéma

test.jpg
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#2 Message par cyril13110 » jeu. 10 mai 2018 08:26

bonjour Jérémy et bonjour a tous,

jai un doute sur le calcul de la résistance.
j'ai l'impression que tu a utilisé les meme calcul que pour un transistor bipolaire.
un transistor bipolaire se commande en courant, un transistor MOS se commande en tension.
si je ne me trompe pas tu aura juste a mettre la sortie du pic directement sur la gate avec une simple résistance de pull down poir seulement de la saturation bien évidement.
mais si je me trompe je suis intéressé par de le savoir ....

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#3 Message par Jérémy » jeu. 10 mai 2018 08:34

Salut cyril,

Heuuu effectivement tu te trompes de transistor ? :sifflotte:

Le relais est bien piloter par un transistor bipolaire NPN . Le MOS n'a rien a voir avec le calcul ! il est jsute la pour faire une fonction "ET" en association avec le relais
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#4 Message par cyril13110 » jeu. 10 mai 2018 12:01

houps il mavais sembler voir 2 mos.....

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#5 Message par paulfjujo » jeu. 10 mai 2018 16:12

bonjour,


Jérémy a écrit : Je trouve 21K ???? ça me parait énorme .


si tu laisse la 10K entre base et 0V , avec RB=21K .. ça risque de ne pas le faire.

En principe pour etre sur d'etre saturé à fond, surtout avec seulement 3V d'alim ..
on prend Ib= Ic/10
donc pour moi, ton schema tel qu'il est ,
avec RB=1K et R de 10K pour ameliorer le blocage
me parait adequate .

les courbes de saturation, pour un VCE sat minima, sont données d'ailleurs pour un Ic/Ib =10

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#6 Message par Temps-x » jeu. 10 mai 2018 16:25

Bonjour,

Bien vue paulfjujo, on voit un connaisseur, effectivement la résistance de 10k et négligé dans ton calcul, et ça fausse tous.

Généralement je mets 1200 Ohms, le mieux est de faire un essai, car C'est en faisant des erreurs, que l'on apprend le mieux !!! exit

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#7 Message par cyril13110 » jeu. 10 mai 2018 17:37

bonjour a tous,

Poir rappel, pour saturer un bipolaire il y a 2 paramètres a prendre en compte le VBE qui doit etre supérieur a 0.6V, puis le courant de base Ib.
Mais du moment que ton Vbe est strictement superieur a 0.6V, le courant est quasi secondaire. jai bien dit quasi.......
du coup fait l'exercice de calculer la tension sur le pond diviseur de tension avec la resistance de 1k et avec la 21k.
apres calcul le courant total qui passe dans les 2 cas.
la difference sera énorme.
avec la résistance de 1k tu aura un Vbe proche de 3V, ton transistor sera saturé a coup sur.
avec la resistance de 21k ton Vbe est a 0.9V, mais comme tu est sur une resistance total de 30k, le courant total sera particulièrement faible donc la saturation ne sera pas forcément franche.

le mieux et de faire des tests avec diverses résistances.

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#8 Message par Jérémy » jeu. 10 mai 2018 20:12

Re,

Merci à tous , j'ai effectivement complétement zappé la R de 10K dans ma réflexion . Pour une fois que je me suis fais mal a poser mes calculs, et ben..... c'est pas gagné !

D’habitude j'opte pour la méthode dites " crash test" , valeur approximative et on regarde si ca fume ! Mais la je ne sais pas pourquoi je me suis que j'allias calculé ;.... grossière erreur ! mdr .
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#9 Message par paulfjujo » ven. 11 mai 2018 11:58

cyril13110 a écrit :bonjour a tous,

avec la résistance de 1k tu aura un Vbe proche de 3V, ton transistor sera saturé a coup sur..


saturé, oui ...
mais la jonction Vbe se comporte un peu comme une diode zener au dela de 0,6V
sinon avec 3V direct entre base et emetteur => transistor mouru !

donc un Ib de l'ordre de (3V-0.6V)/1K => 2.4mA ( - les 60 µA dans la 10K)

la 10K sert à conforter l'état bloquant , lorsque la commande MCU=0
C'est surtout vrai , et visible à l'oscillo, sur des commutations rapides.. (capacites parasites)
c'est une bonne habitude ... mais qui coute 1 resistance de plus.

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#10 Message par Jérémy » sam. 12 mai 2018 09:19

Re bonjour,

Je souhaite vraiment comprendre les choses basiques mais ça me dépasse . je demande encore votre aide :mur: :mur: :mur:

J'ai pensé à utiliser un simulateur, que je n'avais pas encore essayé !

J'ai donc tenter de reproduire mon schéma, pour comprendre le fonctionnement. Mais voila un truc m'échappe peut être du à la simulation ou pas !

Voila le schéma de la simulation , j'ai placé des voltmètres pour voir les tensions en jeu .

Ce que je ne comprends pas, c'est pourquoi j'ai une tension de 1.82V, quand le relais est activé mais pas le P-MOS ?
Le P-MOS n'est pas censé être bloqué ?

Voici un screen !

Sans titre.jpg
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